碳化硅（SiC）因其優(yōu)異的熱穩定性、高硬度、高耐磨性和良好的化學(xué)穩定性而備受關(guān)注，特別是在高溫、高壓和強腐蝕環(huán)境下，碳化硅（SiC）展現出卓越的性能，在半導體、核能、國防及空間技術(shù)等領(lǐng)域具有廣闊的應用前景。

碳化硅氧化工藝的應用

在半導體領(lǐng)域，碳化硅（SiC）氧化工藝作為半導體制造中的關(guān)鍵步驟之一，對于提升碳化硅器件的性能和可靠性具有重要意義。特別是在MOSFET等功率器件中，碳化硅（SiC）表面氧化層的質(zhì)量直接影響到器件的性能和可靠性，影響著(zhù)控制器件的閾值電壓和漏電流等關(guān)鍵參數。

為了在碳化硅（SiC）表面形成一層氧化物薄膜，需要通過(guò)氧化工藝實(shí)現。其中，氧化工藝的方法包括熱氧化、化學(xué)氣相沉積氧化和電化學(xué)氧化，目前最常用的方法是熱氧化方法，通過(guò)熱氧化工藝，在高溫條件下下形成均勻、高質(zhì)量的SiO?柵氧化層，從而提升器件的擊穿電壓、降低漏電流和噪聲。

RTP快速退火爐的技術(shù)特點(diǎn)

RTP快速退火爐采用先進(jìn)的加熱和冷卻技術(shù)，能夠在極短的時(shí)間內將材料加熱到預定溫度，并在完成退火后迅速冷卻降溫。在熱氧化工藝中，RTP快速退火爐能夠確保碳化硅（SiC）材料在短時(shí)間內達到所需的氧化溫度，從而縮短處理周期，提高生產(chǎn)效率。其次，RTP快速退火爐還能提供均勻的溫度分布，確保碳化硅（SiC）材料在退火過(guò)程中受熱均勻，從而避免產(chǎn)生局部過(guò)熱或溫度梯度導致的質(zhì)量問(wèn)題。

RTP快速退火爐在碳化硅氧化工藝中的應用優(yōu)勢

RTP快速退火爐為碳化硅（SiC）氧化工藝提供穩定的高溫環(huán)境，進(jìn)一步優(yōu)化碳化硅（SiC）表面的氧化層結構，同時(shí)填補晶格缺陷，降低殘余應力，提高氧化物和晶體的結合質(zhì)量，改善電學(xué)性能。

另外，與高溫氧化爐對比，RTP快速退火爐處理時(shí)間短，效率高，其形成的氧化膜厚更加均勻，能夠在提高材料性能的同時(shí)實(shí)現高效處理。

RTP快速退火爐優(yōu)勢

1.高效性：具有極快的升溫速率，高達100℃/s，能夠在短時(shí)間內完成退火過(guò)程，提高生產(chǎn)效率

2.精準控溫性：燈管功率 PID 控溫，可精準控制溫度升溫，保證良好的重現性與溫度均勻性

3.溫度均勻性：采用先進(jìn)的加熱和冷卻技術(shù)，在≥500℃的條件下，溫度均勻度可實(shí)現≤±1%

4.靈活性：可擴展至6組工藝氣體，根據不同材料的退火工藝需求靈活調整，滿(mǎn)足各種應用場(chǎng)景需求

5.安全性：采用爐門(mén)安全溫度開(kāi)啟保護、溫控器開(kāi)啟權限保護以及設備急停安全保護三重安全措施，全方位保障儀器使用安全

單腔半自動(dòng)快速退火爐RTP

RTP-SA-12是在保護氣氛下的半自動(dòng)立式快速退火系統，以紅外可見(jiàn)光加熱單片Wafer或樣品，工藝時(shí)間短，控溫精度高，適用 4-12 英寸晶片。先進(jìn)的溫度控制技術(shù)，保證良好的重現性與溫度均勻性。

行業(yè)應用

①氧化物、氮化物生長(cháng)

②硅化物合金退火

③砷化工藝

④歐姆接觸快速合金

⑤氧化回流

⑥其他快速熱處理工藝